姓名

陈喆

系、部门

电工电子中心

职称/职务

讲师

导师类别

硕士研究生导师

学位

博士

电话

无

电子邮箱

chenzhehn@qq.com

办公地点

信自楼

研究方向

太赫兹功能器件、太赫兹通信技术

个人情况简介

陈喆，2017年7月毕业于北京大学，获理学博士学位，博士期间主要研究方向为新型阻变存储器设计及可靠性研究。2017年7月至2020年4月于中国工程物理研究院电子工程研究所工作，任助理研究员，主要研究方向为碳化硅门极可关断晶闸管(GTO)可靠性研究与失效分析。2020年4月加入昆明理工大学信息工程与自动化学院，主要研究兴趣为太赫兹功能器件、太赫兹通信技术。

学习工作经历

2020.04至今工作于昆明理工大学信息工程与自动化学院；

2017.07-2020.04年工作于中国工程物理研究院电子工程研究所；

2012.09-2017.07年博士研究生毕业于北京大学信息科学与技术学院微电子学与固体电子学专业；

2008.08-2012.07年本科毕业于西安电子科技大学微电子学院微电子学专业。

代表性成果

（1）获奖情况

无

（2）教学/科研项目

1、云南省基础研究计划青年项目，SiC GTO固态开关在脉冲功率应用中可靠性的优化设计，主持，在研。

2、国家自然科学基金，过渡金属硫属化合物二维横向异质结的应变调控研究，参与，在研。

（3）论文

期刊论文：

1Zhe Chen, Zhonghua Chen, Haowen Tang, Jia Fu, Tao Shen, Hui Zhang.Multifunctional and bidirectional tunable terahertz device for polarization conversion and absorption based on black phosphorus[J].Journal of the Optical Society of America B,41 (7) (2024) 1513-1521.

2Zhe Chen, Haowen Tang, Zhonghua Chen, Tao Shen*, and Hui Zhang*, Terahertz dichroic device with multi-functionality, multi-band operationand multi-dimensional tunability, Optical Materials, 2024, 147, 114639.

3Zhe Chen, Zhonghua Chen, Haowen Tang, Tao Shen*, and Hui Zhang*, Dual-tunable and high-efficiency multifunctional terahertz device based on black phosphorus and graphene metasurface, Optical Materials, 2024, 149, 115065.

4Zhe Chen, Haowen Tang, Zhonghua Chen, Tao Shen*, and Hui Zhang*, Multifunctionalterahertzabsorberbased on Graphene-VO₂metamaterial withlineardichroism andtunablecirculardichroism, Journal of Electronic Materials,2024, 53(4), 2115-2123.

5Zhe Chen, Jinjiang Chen, Haowen Tang, Tao Shen*, and Hui Zhang*, Multifunctional terahertz device based on a VO₂-assisted metamaterial for broadband absorption, polarization conversion, and filtering, Optical Materials Express,2023, 13(2), 514-525.

6Zhe Chen, Jinjiang Chen, Haowen Tang, Tao Shen*, and Hui Zhang*, Dynamically switchable broadband and triple-band terahertz absorber based on a metamaterial structure with graphene, Optics Express,2022,30(5),6778-6785.

7Zhe Chen, Peng Dong*, Meng Xie, Yun Li, Xuegong Yu, Yao Ma, Study of gamma-ray radiation effects on the passivation properties of atomic layer deposited Al₂O₃on silicon using deep-level transient spectroscopy, Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2019, 30(2), pp.1148-1152.

8Zhe Chen, Attilio Belmonte*, Chao Yang Chen, Janaki Radhakrishnan, Augusto Redolfi, Jinfeng Kang*, Ludovic Goux, and Gouri Sankar Kar,Impact of tungsten oxidation conditions on the performance of Al₂O₃/WO_x-based CBRAM devices, Microelectronic Engineering, 2017, 179: 56-59.

9Zhe Chen,Haitong Li, Hong-Yu Chen, Bing Chen, Rui Liu, Peng Huang, Feifei Zhang, Zizhen Jiang, Hongfei Ye, Bin Gao, Lifeng Liu, Xiaoyan Liu, Jinfeng Kang*, H-S Philip Wong and Shimeng Yu, Disturbance characteristics of half-selected cells in a cross-point resistive switching memory array, Nanotechnology, 2016, 27: 215204.

10Zhe Chen, Feifei Zhang, Bin Chen, Yang Zheng, Bin Gao, Lifeng Liu, Xiaoyan Liu, and Jinfeng Kang*,High performance HfO_x/AlO_ybased resistive switching memory cross-point array fabricated by atomic layer deposition, Nanoscale Research Letters, 2015, 10: 70.

会议论文：

1Zhe Chen, Bin Gao*, Zheng Zhou, Peng Huang, Haitong Li, Wenjia Ma, Dongbin Zhu, Lifeng Liu, Xiaoyan Liu, Jinfeng Kang*, and Hong-Yu Chen, Optimized Learning Scheme for Grayscale Image Recognition in a RRAM based Analog Neuromorphic System, IEEE International Electron Devices Meeting, Washington, DC USA, 2015.12.7-2015.12.9

2Zhe Chen, Peng Huang, Haitong Li, Bin Chen, Yi Hou, Feifei Zhang, Bin Gao, Lifeng Liu, Xiaoyan Liu, and Jinfeng Kang*, Optimization of uniformity in resistive switching memory by reducing thermal effect, IEEE 12^thInternational Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Guilin, P. R. China, 2014.10.28-2014.10.31

（4）知识产权

无。

（5）专著、教材

无。

主讲课程

数字电子技术基础、模拟电子技术基础、电子技术课程设计、电工与电子技术基础。

指导学生竞赛

无。